これまでのDLC成膜で培ったプラズマ制御技術と無機結晶制御技術とを融合させ、合成が極めて難しいとされた様々な圧電素材の単結晶化に成功し製法を確立しました。様々な半導体プロセスに適応でき、既存多結晶材料と比較して著しく高い特性を示します。

目次：

単結晶圧電薄膜の特長

単結晶化技術の最大の特徴は、広いプロセスマージンであり、それを支えるキーテクノロジーが独自のバッファー層です。バッファー層が自ら形状変化することにより、基板と圧電薄膜の結晶格子のズレを補正し、残留応力の少ない単結晶化を実現させています。さらに、高度なプラズマ制御により、同一組成の材料であっても、用途に合わせた特性のチューニングを可能としています。

弊社では、様々な用途に合わせた単結晶圧電薄膜基板（KRYSTAL^® Wafer）をご提供しています。

基本的な膜構成で作製された圧電体は、以下の特徴を持ちます。

シリコン（Si）基板から連続的な単結晶構造を維持し、圧電薄膜の厚さに左右されず、単結晶構造を反映している。
Cube on Cube構造となり、サイコロが回転せずに重なった結晶構造を持つ。
ルテニウム酸ストロンチウム（SRO）上の圧電薄膜の結晶欠陥が少なく、サブミクロン（1ミクロン以下）厚でも正常に動作する。
これらの特徴は圧電体として知られるジルコン酸チタン酸鉛（PZT）だけでなく、チタン酸バリウム（BTO）をはじめ、多くの材料に適応できます。原材料のSi基板は一般的な（100）配向品を標準としていますが、他の配向でも以下の特徴を持ちます。
Si基板の配向＜（110）や（111）＞を変えることで、上層の膜配向もそれを引き継ぐことが可能であり、材料に最適な組み合わせを提供できる。

これらのプラットフォームを提供し、お客様にとって最適な組み合わせを提案します。