弊社は、MEMS向け成膜事業を行ってきました。MEMSは、自動車や情報・通信機器など、すでに多くの製品・場所で使用されています。特に圧電薄膜による圧電MEMSは、それまでのMEMSに比べて小型化・高機能化が進み、その用途も拡大しています。
これまで培ってきた成膜技術に加え、圧電薄膜の単結晶化によって、より汎用性の高い、高電圧の圧電MEMSの開発・製造が可能となりました。単結晶化技術がお客様の課題を克服し、これまで不可能とされてきた機能を実現します。

単結晶化技術の最大の特徴は、広いプロセスマージンであり、それを支えるキーテクノロジーが独自のバッファー層です。バッファー層が自ら形状変化することにより、基板と圧電薄膜の結晶格子のズレを補正し、残留応力の少ない単結晶化を実現させています。さらに、高度なプラズマ制御により、同一組成の材料であっても、用途に合わせた特性のチューニングを可能としています。
基本的な膜構成で作製された圧電体は、以下の特徴を持ちます。

• ① シリコン（Si）基板から連続的な単結晶構造を維持し、圧電薄膜の厚さに左右されず、単結晶構造を反映している。
• ② Cube on Cube構造となり、サイコロが回転せずに重なった結晶構造を持つ。
• ③ ルテニウム酸ストロンチウム（SRO）上の圧電薄膜の結晶欠陥が少なく、サブミクロン（1ミクロン以下）厚でも正常に動作する。

これらの特徴は圧電体として知られるジルコン酸チタン酸鉛（PZT）だけでなく、チタン酸バリウム（BTO）をはじめ、多くの材料に適応できます。原材料のSi基板は一般的な（100）配向品を標準としていますが、他の配向でも以下の特徴を持ちます。

• ④ Si基板の配向＜（110）や（111）＞を変えることで、上層の膜配向もそれを引き継ぐことが可能であり、材料に最適な組み合わせを提供できる。

これらのプラットフォームを提供し、お客様にとって最適な組み合わせを提案します。

微小で三次元的構造を持つMEMSは、世界的にすでに多くの場所で使用されており、拡大の一途をたどっています。これまでは静電方式が主流でしたが、近年はより高い特性を達成できる圧電薄膜を使ったMEMSデバイス（圧電MEMS）の採用が進んでいます。圧電MEMSは、圧電薄膜がデバイスの特性を大きく左右します。圧電薄膜に単結晶を使用することにより、さらに高いデバイス特性を引き出すことが可能になります。